リサーチフェロー

黒瀬　範子　博士(工学)
KUROSE Noriko

＜プロフィール＞
工学での研究対象は窒化物半導体でした。深紫外光(紫外線)を使ったウィルスや微生物の死滅化・不活性化および水中の有害物質の分解等の研究を行っていました。現在は、miRNAや免疫について学んでいます。また、ダイアモンドＮＶセンターのスピンをコントロールする研究を行っています。

＜連絡先＞
kurose-n

●経歴

• 1986　同志社大学文学部　卒業
• 1986　富士通ビジネスシステム(株)　システムエンジニア
• 1989　京セラ(株)　システムエンジニア
• 2003　立命館大学理工学部ロボティクス学科　伊坂研究室　研究員
• 2010　立命館大学理工学部総合科学技術研究機構　青柳研究室　研究員
• 2015　立命館大学　博士(工学）取得
• 2018　理化学研究所　創発物性科学研究センター　研究員
• 2019　現職

●主な業績

[論文]

• 1．A 2-inch, large-size deep ultraviolet light-emitting device using dynamically controlled micro-plasma-excited AlGaN, Y. Aoyagi, N. Kurose, Applied Physics Letters, 102, 0411141-1～0411141-3 (2013)
• 2．ダイナミックマイクロプラズマ励起AlGaN高出力大面積深紫外発光素子(MIPE)の開発, 黒瀬範子,青柳克信,電気学会論文誌,電気学会, 134, 307-314 (2014)
• 3. Development of Substrate-Removal-Free Vertical Ultraviolet Light-Emitting Diode (RefV-LED), N. Kurose, K. Shibano, T. Araki, and Y. Aoyagi, AIP Advances, 4, 027122/1-6 (2014).
• 4.Formation of conductive spontaneous via holes in AlN buffer layer on N+Si substrate by filling the vias with n-AlGaN by metal organic chemical vapor deposition and application to vertical deep ultraviolet photo-sensor, N. Kurose, N. Iwata, I. Kamiya and Y. Aoyagi, AIP Advances, 4 ,123007/1-7 (2014).
• 5. Realization of a Conductive Aluminum Nitride Epitaxial Layer on a Silicon Substrate by Forming Spontaneous Nano Via-holes, Noriko Kurose, Yoshinobu Aoyagi, Kota Ozeki, Journal of Crystal Growth.
• 6. Laser-induced local activation of Mg-doped GaN with a high lateral resolution for high power vertical devices, Noriko Kurose, Kota Matsumoto, Fumihiko Yamada, Teuku Muhammad Roffi, Itaru Kamiya, Naotaka Iwata, and Yoshinobu Aoyagi, AIP Advances 8, 015329 (2018)
• 7. Formation of conductive AlN buffer layer using spontaneous via-holes and realization of vertical AlGaN Schottky diode on a Si substrate, Noriko Kurose, and Yoshinobu Aoyagi, J. Appl. Phys. , 査読あり, 125, 205110 (2019)

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